A disputa por supremacia no mercado de memórias de alto desempenho ganhou um novo e relevante capítulo. A Intel apresentou a tecnologia ZAM (Z-Angle Memory), uma arquitetura desenvolvida em parceria com o SoftBank e sua subsidiária SAIMEMORY, que promete entregar até 5,3 TB/s de largura de banda por pilha. O número representa potencialmente o dobro do que as soluções baseadas em HBM (High Bandwidth Memory) oferecem atualmente. Neste artigo, analisamos o que essa inovação significa para o setor de semicondutores, quais são seus diferenciais técnicos e por que ela pode mudar o cenário competitivo da inteligência artificial nos próximos anos.
A HBM ocupa hoje uma posição de destaque nos projetos de chips voltados à IA. Aceleradores gráficos, GPUs de última geração e data centers de alto desempenho dependem diretamente dessa tecnologia para garantir que grandes volumes de dados trafeguem com a velocidade necessária. Contudo, à medida que os modelos de inteligência artificial se tornam mais complexos e as cargas de trabalho aumentam em escala, as limitações estruturais da HBM começam a se evidenciar. É nesse contexto que a proposta da Intel ganha relevância.
A ZAM utiliza uma arquitetura de empilhamento vertical composta por nove camadas, sendo oito dedicadas à memória DRAM e uma responsável pelo controle lógico centralizado. Essa estrutura elimina a necessidade de múltiplos controladores distribuídos ao longo do chip, simplificando o design e reduzindo pontos de falha. A interconexão entre as camadas é feita por meio de aproximadamente 13,7 mil vias TSV (Through-Silicon-Via), o que garante alta velocidade de transferência interna de dados. Os substratos entre as camadas têm apenas 3 micrômetros de espessura, o que contribui para a densidade excepcional da solução.
Do ponto de vista da capacidade, cada camada da ZAM armazena cerca de 1,125 GB, totalizando aproximadamente 10 GB por pilha. Quando configurada em pacotes completos, essa capacidade pode chegar a 30 GB. A densidade estimada é de 0,25 Tb/s por milímetro quadrado, um índice expressivo quando comparado aos padrões atuais do segmento.
Um dos aspectos mais relevantes da tecnologia ZAM, e que frequentemente passa despercebido nas análises mais superficiais, é o controle térmico. A HBM enfrenta um desafio crescente com o acúmulo de calor conforme mais camadas são adicionadas. Esse fenômeno pode comprometer a estabilidade e o desempenho do sistema em uso prolongado. A ZAM foi projetada para evitar que o calor atravesse a camada de fiação, promovendo uma dissipação mais eficiente e garantindo maior estabilidade nas cargas de trabalho intensivas. Para ambientes de data center, onde a gestão térmica afeta diretamente os custos operacionais e a vida útil dos equipamentos, essa característica é um diferencial prático considerável.
Outro ponto estratégico envolve o modelo de empacotamento descrito como 3.5D. Essa abordagem combina integração tridimensional com conectividade horizontal, permitindo que recursos como fotônica de silício sejam incorporados ao design. Trata-se de uma escolha que amplia as possibilidades de uso da ZAM em sistemas ainda mais avançados, incluindo infraestruturas de comunicação óptica de alta velocidade.
O projeto será apresentado formalmente no VLSI Symposium 2026, evento de referência no setor de semicondutores. A previsão para que a tecnologia ZAM esteja pronta para produção industrial é de 2028 a 2030, o que indica que ainda há um caminho considerável a percorrer antes da adoção em larga escala. Fatores como compatibilidade com plataformas já existentes, custos de fabricação e aceitação pelos grandes fabricantes de chips serão determinantes para o sucesso comercial da solução.
Vale destacar que o movimento da Intel não ocorre de forma isolada. A empresa atravessa um período de reestruturação estratégica e precisa demonstrar capacidade de inovação competitiva. Apostar em uma arquitetura de memória que rivaliza diretamente com a HBM, especialmente diante da ascensão acelerada das demandas por IA generativa, é uma decisão que sinaliza ambição técnica e posicionamento de longo prazo. A parceria com o SoftBank agrega não apenas recursos, mas também acesso a cadeias produtivas relevantes no mercado asiático, o que pode acelerar a viabilização industrial da ZAM.
O impacto potencial dessa tecnologia vai além de métricas técnicas. Se a ZAM confirmar na prática os números apresentados até agora, o mercado de memórias para IA pode experimentar uma reconfiguração significativa, forçando os demais players a acelerarem suas próprias trajetórias de desenvolvimento. Para quem acompanha a evolução dos chips de alto desempenho, os próximos anos prometem ser decisivos.
Autor: Diego Velázquez
